信息学院复试科目考试大纲
科目名称 |
算法与程序设计 |
科目代码 |
|
|||
一、考试范围及要点 |
||||||
1、 第一部分绪论要求掌握算法与程序设计的基本概念，包括基本数据类型、表达式、程序控制结构、数组与指针、文件操作的设计与实现，掌握算法的时间性能分析和空间性能分析，理解算法、程序设计与数据结构的关系，要点是特定编程语言的程序实现。 2、 第二部分线性表、栈、队列的存储结构、基本运算及实现，包括线性表的顺序实现、线性表的链式实现、栈与队列的顺序实现与链式实现。要点是线性表的基本操作在顺序存储及链式存储上的程序实现。 3、第三部分串的基本运算及实现，要点是以堆形式实现的串的基本操作的程序实现。 4、第四部分数组与矩阵要求掌握多维数组的结构特点、特殊矩阵与稀疏矩阵的存储方法和基本运算的程序实现(转置、矩阵加法等)；理解多维数组在存储器中的分配方式及由数组下标到内存单元地址的映射。 5、第五部分二叉树的存储结构、基本操作及实现，要点是二叉树的顺序存储及链式存储的构建、各种遍历算法的程序实现，哈夫曼树和哈夫曼编码的构建和应用。 6、第六部分图的存储结构、基本操作及实现，要点是图的顺序存储及链式存储的构建、深度优先与广度优先遍历算法的程序实现。 7、第七部分查找要求掌握静态查找表的程序实现，二叉排序树的程序实现，要点是折半查找与二叉排序树。 8、第八部分要求掌握插入排序、交换排序、选择排序的程序实现，要点是快速排序、直接插入排序。 |
||||||
二、考试形式及试卷结构 |
||||||
考试形式： 机试+笔试 开卷考试，不限编程语言（C、C++或者JAVA） 试卷结构：程序设计题 |
||||||
参考书目： 程序设计导引及在线实践. 李文新,郭炜,余华山. 清华大学出版社. 2014. |
||||||
科目名称 |
数字电子技术 |
科目代码 |
|
|||
一、考试范围及要点 |
||||||
1、逻辑代数基础 （1）掌握逻辑函数的常用表示方法。 （2）掌握逻辑函数的代数化简法和卡诺图化简法。 2、组合逻辑电路 （1）掌握组合逻辑电路的分析方法和设计方法。 （2）掌握标准化中规模集成器件的逻辑功能、使用方法及扩展方法。 （3）掌握标准化中规模集成器件作为函数发生器使用的方法。 3、触发器 （1）掌握触发器的性质、功能，触发器的触发方式和动作特点。 （2）掌握各类触发器的应用。 4、时序逻辑电路 （1）掌握时序逻辑电路的分析方法。 （2）掌握同步时序逻辑电路的设计方法。 （3）掌握标准化的中规模集成计数器的功能、使用方法。 |
||||||
二、考试形式及试卷结构 |
||||||
考试形式：闭卷笔试 试卷结构： 1、简答题 2、分析计算题 3、分析设计题 |
||||||
参考书目： 数字电子技术基础，阎石主编，高等教育出版社，第五版 |
||||||
科目名称 |
通信原理 |
科目代码 |
(复试科目) |
|||
一、考试范围及要点 |
||||||
1、通信系统的组成以及性能指标。 （1）通信系统的组成。 （2）通信系统主要性能指标。 2、随机过程 （1）掌握平稳随机过程的定义及其性质，随机过程的功率普及相关函数。 （2）理解高斯随机过程。 （3）掌握随机过程通过线性系统。 3、幅度调制的原理 （1）了解模拟调制的种类，掌握VSB调制系统原理。 （2）了解各种模拟调制系统的性能比较、频分复用。 4、数字基带传输系统 （1）了解数字基带传输系统、频带传输系统以及数字基带信号，理解数字基带信号及其频谱特性。 （2）掌握基带传输的常用码型、基带脉冲传输与码间干扰。 （3）掌握无码间干扰的传输特性、眼图、部分响应和时域均衡。 5、数字频带传输系统 （1）掌握二进制数字调制原理。 （2）理解二进制数字调制系统的抗噪声性能、二进制数字调制系统的性能比较。 6、模拟信号的数字传输 （1）理解抽样定理、模拟脉冲调制、抽样信号的量化。 （2）掌握脉冲编码调制（PCM）原理及编译码方法，时分复用。 7、差错控制编码 （1）理解纠错编码的基本原理，了解汉明码的构造原理，掌握线性分组码的一般原理。 （2）掌握循环码的基本原理，理解循环码的编、解码方法。 8、同步原理 （1）掌握载波同步、码元同步的原理、方法。 （2）了解群同步。
|
||||||
二、考试形式及试卷结构 |
||||||
考试形式：闭卷笔试 试卷结构： 1、简答题 2、分析计算题
|
||||||
参考书目： 樊昌信.通信原理（第6版）.北京:国防工业出版社，2006年 |
||||||
科目名称 |
半导体物理与器件 |
科目代码 |
|
|||
一、考试范围及要点 |
||||||
考试范围： （1） 掌握能带理论以及从能带理论的角度分析半导体的导电机制；熟悉半导体中电子的状态及其运动规律；理解空穴的概念及其基本特征量；熟悉实际半导体中的杂质和缺陷的种类、性质及其作用；掌握并且会计算热平衡状态下载流子的浓度问题、以及非平衡载流子的概念、产生及其随时间的演化规律（寿命问题）；掌握载流子的几种输运机制，如扩散运动、漂移运动以及连续性方程等。 （2） 了解半导体器件制备的方法、过程及几个器件制备的实例；理解和熟悉p-n结及其能带图；掌握p-n结的电流—电压特性以及电容—电压特性；熟悉p-n结的三种击穿机理；理解和掌握p-n结二极管的工作原理及其稳态响应的建模等。 （3） 在对p-n结二极管工作原理分析的基础上，学会将此分析进行合理的拓宽，即从单结/两端二极管发展到双结/三端晶体管；掌握双极结型晶体管(BJT)的基本概念、符号的定义、工作原理的定性分析以及关键的关系表达式等。这些基础知识是为后面详细的器件分析作准备的。 （4） 熟悉金属-半导体接触的能带图以及阻挡层和反阻挡层的基本概念；了解欧姆接触以及肖特基二极管的工作原理及特性；掌握J-FET和MESFET的基本知识，如基本概念、工作原理、器件工作的定性理论等。 （5） 系统地了解和掌握MOSFET的基本工作原理与物理机制；掌握MOSFET器件的主要结构形式、工作特性和有关的物理概念；熟悉MOSFET的电容-电压特性、伏-安特性及其交流效应，并能掌握主要参数和特性的分析与计算方法。 |
||||||
二、考试形式及试卷结构 |
||||||
闭卷笔试,选择题、填空题、解答题、计算题 |
||||||
参考书目：《半导体物理与器件》，裴素华，机械工业出版社 |
||||||
科目名称 |
半导体物理学 |
科目代码 |
|
|||
一、考试范围及要点 |
||||||
考试范围： （1） 掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。 （2） 掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级。 （3） 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。 （4） 掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。 （5） 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。 （6） 掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。 （7） 掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。 （8） 掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质。 （9） 掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。
|
||||||
二、考试形式及试卷结构 |
||||||
闭卷笔试,选择题、填空题、解答题、计算题 |
||||||
参考书目：《半导体物理学》，刘恩科，国防工业出版社 |
||||||
